電子背散射衍射（EBSD）

EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術(shù)，通過(guò)分析入射電子束與樣品相互作用后產(chǎn)生的背散射電子的衍射花樣（菊池花樣），獲取樣品的晶體學(xué)信息。

其核心原理是布拉格衍射定律（2dsinθ=nλ），其中電子束波長(zhǎng)λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定，不同晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生獨(dú)特的菊池花樣，通過(guò)與晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)比對(duì)，可實(shí)現(xiàn)物相類(lèi)型和分布、晶粒大小、晶界類(lèi)型、晶體取向分析等功能。

電子背散射衍射（EBSD）

| 項(xiàng)目概述

EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術(shù)，通過(guò)分析入射電子束與樣品相互作用后產(chǎn)生的背散射電子的衍射花樣（菊池花樣），獲取樣品的晶體學(xué)信息。其核心原理是布拉格衍射定律（2dsinθ=nλ），其中電子束波長(zhǎng)λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定，不同晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生獨(dú)特的菊池花樣，通過(guò)與晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)比對(duì)，可實(shí)現(xiàn)物相類(lèi)型和分布、晶粒大小、晶界類(lèi)型、晶體取向分析等功能。

| 測(cè)試目的

晶體取向分析

通過(guò)菊池花樣與標(biāo)準(zhǔn)晶體學(xué)數(shù)據(jù)匹配，計(jì)算晶體的取向角（如歐拉角或米勒指數(shù)），生成取向成像圖（OIM），直觀(guān)顯示晶粒的取向分布。

晶界類(lèi)型

低角度晶界（LAGB）：取向差<15°，通常代表亞晶界。

高角度晶界（HAGB）：取向差>15°，通常代表真實(shí)晶界。

特殊晶界：如孿晶界（Σ3邊界）可通過(guò)計(jì)算重合位點(diǎn)格（CSL）識(shí)別。

相分析

通過(guò)圖案匹配確定每個(gè)像素點(diǎn)的相歸屬，生成相分布圖，直觀(guān)顯示相分布。

晶粒尺寸測(cè)量

通過(guò)晶界檢測(cè)結(jié)果，使用面積法或截線(xiàn)法計(jì)算晶粒尺寸，生成晶粒分布直方圖，并輸出平均晶粒大小和標(biāo)準(zhǔn)差。

織構(gòu)分析

通過(guò)極圖（Pole Figure）或取向分布函數(shù)（ODF）表征晶粒取向的統(tǒng)計(jì)分布，揭示材料加工對(duì)微觀(guān)結(jié)構(gòu)的影響。

應(yīng)變分析

利用晶體取向和圖案質(zhì)量變化評(píng)估樣品中的應(yīng)變或殘余應(yīng)力分布。應(yīng)變可通過(guò)晶界彎曲、取向梯度等特征定量分析，結(jié)合FWHM（全寬半高）或變形模式研究應(yīng)力累積。

| 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 36165金屬平均晶粒度的測(cè)定電子背散射衍射（EBSD）法

ISO 23703微束分析.用電子背散射衍射（EBSD）評(píng)估奧氏體不銹鋼機(jī)械損傷的取向分析指南

YB/T 4677鋼中織構(gòu)的測(cè)定電子背散射衍射（EBSD）法

ASTM E2627-13 用電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）測(cè)定充分再結(jié)晶多晶材料平均粒度的規(guī)程。

| 服務(wù)產(chǎn)品/領(lǐng)域

電子產(chǎn)品、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、礦物材料等。

| 美信優(yōu)勢(shì)

1、專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)：擁有多名經(jīng)驗(yàn)豐富的檢測(cè)工程師和技術(shù)專(zhuān)家。

2、先進(jìn)設(shè)備：配備國(guó)際領(lǐng)先的檢測(cè)設(shè)備，確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
3、高效服務(wù)：快速響應(yīng)客戶(hù)需求，提供PCB有害物質(zhì)全套檢測(cè)服務(wù)。

4、權(quán)威認(rèn)證：實(shí)驗(yàn)室通過(guò)ISO/IEC 17025認(rèn)證，檢測(cè)報(bào)告具有國(guó)際公信力。

常見(jiàn)問(wèn)題

常規(guī)樣品要求？

樣品最大尺寸20mmx20mmx5mm（高），上下面平行，測(cè)試需拋光并去應(yīng)力處理（振動(dòng)拋光或CP制樣）。

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